Jsme výzkumnou skupinou katedry mikroelektroniky zaměřenou na studium nových polovodičových struktur, jejich návrh, charakterizaci a aplikaci. V současnosti se zaměřujeme především na studium polovodičových nanostruktur, kvantově vázaných struktur, vývoj nových technologií pro výkonovou elektroniku a aplikace vybraných polovodičových součástek.
Výzkumné aktivity
- Výkonová elektronika na bázi širokopásmových polovodičů (diamant, karbid křemíku)
- Radiační odolnost polovodičových struktur
- Organické senzory plynů
- Senzory na bázi nanodiamantu a ZnO
- Simulace elektrického transportu v nanostrukturách
Projekty
- Hazdra, P.: Základní prvky diamantové výkonové elektroniky (20–22, GA 20-1140S)
- Hazdra, P.: Tištěná pole vysoce citlivých a selektivních heterogenních senzorů plynu (22–24, GA 22-04533S)
- Hazdra, P.: Výkonová elektronika na bázi technologie karbidu křemíku pro energeticky úsporná zařízení (14–17, OK7X NMP3-LA-2013-604057)
Recentní publikace
- Mortet, V.; Taylor, A.; Lambert, N.; Jiránek, J.; Fekete, L.; Klimša, L.; Šimek, D.; Lambert, N.; Sedláková, S.; Kopeček, J.; Hazdra, P., Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth, Diamond and Related Materials, 122 (2022) 108887.
- Hazdra, P.; Laposa, A.; Šobáň, Z.; Voves, J.; Lambert, N.; Davydova, M.; Povolný, V.; et al., Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers
Diamond and Related Materials, 121 (2022) 108797. - Kroutil, J.; Laposa, A.; Ahmad, A.; Voves, J.; Povolný, V.; et al., A chemiresistive sensor array based on polyaniline nanocomposites and machine learning classification, Beilstein J. Nano. 13 (2022) 411.
- Mortet, V.; Taylor, A.; Lambert, N.; Gedeonová, Z.; Fekete, L.; Lorinčík, J.; Klimša, L.; Kopeček, J.; P. Hubík, Z. Šobáň, A.Laposa, M. Davydova; Voves, J.; Pošta, A.; Povolný, V.; Hazdra, P., Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers, Diamond and Related Materials, 111 (2021) 108223.
- Vobecký J., Impact of Defect Engineering on High-Power Devices, physica stat. solidi (a), 218 (2021), 2100169.
- Hazdra, P.; Smrkovský, P.; Vobecký, J.; Mihaila, A., Radiation Resistance of High-Voltage Silicon and 4H-SiC Power p-i-n Diodes, IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021) 202.
Kontakt
Vedoucí vědecko-výzkumné skupiny: Pavel Hazdra
Členové skupiny:
P. Hazdra, J. Vobecký, J. Voves, V. Záhlava, Šustková, H., A. Pošta, V. Povolný, A., R. Dadashov, A. Ahmad, P. Smrkovský.
Za obsah odpovídá: Pavel Hazdra