Laboratoř elektronické charakterizace (LEC) se věnuje charakterizaci defektů v polovodičích a moderních výkonových struktur na bázi karbidu křemíku. Laboratoř je vybavena DLTS spektroskopem (Deep Level Transient Spectroscopy), který charakterizuje elektricky aktivní defekty. Vybavení laboratoře umožňuje měření až do napětí 15 kV. Problematika pokrývá komplexní problematiky diagnostiky součástek, kde měření výkonových součástek umožňuje i specializovaná Laboratoř diagnostiky výkonových součástek a VN.
Průmyslovým partnerům nabízíme měření proudů v pikoampérovém rozsahu, které je obzvláště pro měření závěrných charakteristik SiC součástek. Dále jsme schopni změřit CV charakteristiky až do 3 kV.
Metoda OCVD (Open-Circuit Voltage Decay) umožňuje měření doby života nosičů náboje uvnitř polovodičových součástek. Pomocí speciálního kontaktovacího přípravku s rtuťovým relé jsme schopni tato měření provádět přímo čipu.
Následující video ukazuje variabilní stíněný testovací box určený pro přesná měření. Tento box umožňuje připojení externích přístrojů formou odnímatelných bočních jednotek.
V této laboratoři je v současné době řešen projekt SPEED.
Za obsah odpovídá: Pavel Hazdra